ワイドセルピッチ トレンチゲート FS-IGBTのターンオン特性に与えるフローティングpベースの影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08050

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Influence of Floating p-base given to the turn-on characteristics of Wide-cell-pitch Trench-gate FS-IGBT

著者名: 戸倉 規仁((株)デンソー),都築 幸夫((株)デンソー)

著者名(英語): Norihito Tokura(DENSO CORPORATION),Yukio Tsuzuki(DENSO CORPORATION)

キーワード: フローティングpベース|ワイドセルピッチ|トレンチゲート|FS-IGBT|ターンオン|デバイスシミュレーション|Floating p-base|Wide cell pitch|Trench gate|FS-IGBT|turn-on|Device simulation

要約(日本語): 　L負荷スイッチング動作時におけるIGBTのターンオン特性について、“中間電位コブとこれに続く長いテール”で特徴付けられるコレクタ電圧波形が時々観察される。さらに、大きなターンオン損失を生じるこの波形は、フローティングpベースを備えたワイドセルピッチのコンセプトで設計されたトレンチゲートFS-IGBTにおいては顕著である。この損失の多いターンオン波形を理解するために、ワイドセルピッチトレンチゲートFS-IGBT内部のフローティングpベースの過渡的な振る舞いを定量的に分析した。その結果、ターンオン期間中にお

要約(英語): In the turn-on period of IGBTs under inductive load switching, collector voltage waveform characterized by medium-voltage hump followed by long tail is occasionally observed. Moreover, the waveform causing larger turn-on dissipation is remarkable in Tren

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,077 Kバイト