次世代HV-IGBT開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08051

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Development for the Next Generation of HV-IGBT

著者名: 中村 勝光(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),斉藤省二(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),久本 好明(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),幡手一成(三菱電機(株)パワーデバイス製作所),渡辺 友省(三菱電機(株)先端技術総合研究所)

著者名(英語): Katsumi Nakamura(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Shoji Saito(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Yoshiaki Hisamoto(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Kazunari Hatade(Power Device Work,Mitsubishi Electric Corporation),Tomokatsu Watanabe(Advanced Technology R&C Center,Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: enhanced planar gate cell|Light Punch-Through|LPT-Enhanced Planar IGBT|ライフタイム|トレードオフ特性|安全動作領域|enhanced planar gate cell|Light Punch-Through|LPT-Enhanced Planar IGBT|lifetime|trade-off characteristic|safety operating are

要約(日本語): 3300~6500V耐圧クラスにおけるHV(High-Voltage)-IGBTのデバイス特性を改善するために、①MOSゲート構造として低ON電圧,最大降伏電圧および破壊耐量の三つのデバイス特性のトレードオフ関係を最適化したenhanced planar gate cell構造,②縦構造として低温(≦298K)側での正常なIGBT動作するためにsnap-back特性抑制,高温(≧398K)での熱暴走抑制およびHVデバイス特有な多数の並列動作時に電流分担の面で有効なVce(sat)の温度依存性を正にするため

要約(英語): In order to improve the total performance of the 3300~6500V High-Voltage (HV) IGBT, a double combination concept is adopted: an "enhanced planar gate cell" for the emitter side and a "Light Punch-Through (LPT)" structure for the collector side. The LPT-Pl

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,139 Kバイト