パワー半導体用中性子照射シリコン：世界の照射炉と日本原子力研究開発機構の取組み状況

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08054

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Neutron-Transmutation-Doped Silicon for Power Electrical Devices : Worldwide Situation of Irradiation Reactor and Activity of Japan Atomic Energy Agency

著者名: 山本 和喜((独) 日本原子力研究開発機構),一色 正彦((独) 日本原子力研究開発機構),米田 政夫((独) 日本原子力研究開発機構),佐川 尚司((独) 日本原子力研究開発機構),山下 清信((独) 日本原子力研究開発機構)

著者名(英語): Kazuoyoshi Yamamoto(Japan Atomic Energy Agency),Masahiko Isshiki(Japan Atomic Energy Agency),Masao Komeda(Japan Atomic Energy Agency),Hisashi Sagawa(Japan Atomic Energy Agency),Kiyonobu Yamashita(Japan Atomic Energy Agency)

キーワード: 中性子核変換ドーピングシリコン|研究炉|パワーデバイス|面抵抗率分布|Neutron Transmutation Doped Silicon|Reserch Reactor| Power Device|Radial Resistivity Gradient

要約(日本語): 本報告ではシリコン結晶では均一なドーピングという長所がある中性子核変換ドーピングシリコン（Neutron-Transmutation-Doped Silicon:NTD-Si）の歴史と原理を記述する。今日、省エネルギー社会を実現するために重要な装置として絶縁ゲート型バイポーラトランジスター（IGBT）の市場の拡大にともなって、NTD-Siの市場が成長している。大口径単結晶の照射は、中性子分布の均一性が損なわれるために困難である。そのため、我々は中性子自己遮蔽の不利益を打破するために新しい照射方法、並びに、

要約(英語): This review is described a history and a basis of Neutron-Transmutation-Doped Silicon (NTD-Si), which has an advantageof homogeneous doping in the silicon crystal. Today, the market of NTD-Si is growing, because the market ofthe Insulated Gate Bipolar Tra

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 976 Kバイト