Non-Latch-Up IGBT 開発の経緯

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08055

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/23

タイトル(英語): Development Story of Non-Latch-Up IGBT

著者名: 中川 明夫(東芝)

著者名(英語): Akio Nakagawa(Toshiba)

キーワード: ＩＧＢＴ|寄生サイリスタ|ラッチアップ|デバイスシミュレータ|二次降伏|負荷短絡|IGBT|parasitic thyristor|latch-up|device simulator|second breakdown|short-circuit withstanding capability

要約(日本語): IGBTは現在ではパワーMOSFETと並びパワーエレクトロニクスの世界ではなくてはならない素子としていろいろな分野に使われています。高速で省エネを実現する鉄道や新幹線のモータ制御、エアコン、洗濯機、IHクッキングヒータなどの家電製品のインバータ、エレベータ、直流の電力送電、そしてハイブリッド車など応用は多岐に渡ります。カバーする電流も10Aから数百アンペア、電圧も600Vから6500Vと幅広い。しかし、このIGBTはその概念の提案、誕生から25年あまりしかたっていない新しい素子です。私は幸運にもその初期の

要約(英語): IGBTs are now predominantly used as indispensable high power devices in power electronics fields. IGBTs are applied to various systems, such as electric trains, home appliances, induction heaters, elevators, hybrid vehicles, high voltage DC transmission s

原稿種別: 日本語

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