HVIC用SOI型1200Vレベルシフト素子の開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08060

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Development of 1200V level shifter device on SOI for HVIC

著者名: 白木 聡(デンソー),山田 明(デンソー)

著者名(英語): Satoshi Shiraki(DENSO CORPORATION),Akira Yamada(DENSO CORPORATION)

キーワード: SOI|HVIC|レベルシフト素子|高耐圧|カスケード|dV/dtSOI| HVIC| level-shifter| High- voltage| Cascaded | dV/dt

要約(英語): We have developed monolithic SOI type 1200V level shifter for inverter driver IC based on new design concept of cascaded 120V LDMOSFETs. In order to clarify the problem of blocking voltage lowering against high dV/dt surge, we have analyzed transient beha

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,077 Kバイト