衝突電離作用の可逆過程となる再結合とその宇宙線破壊シミュレーションへの影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08062

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Recombination Process Reversible to the Impact Ionization and its Effect on the Simulation of Cosmic Ray Induced Failures

著者名: 高田 育紀(三菱電機)

著者名(英語): Ikunori Takata(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 直接再結合|衝突電離の逆過程|宇宙線誘起破壊|direct recombination|reversible process to the impact ionizat|cosmic ray induced failure

要約(日本語): 伝統的な再結合モデルを用いるならば、デバイスシミュレータは宇宙線誘起破壊がn-層が短いpinダイオードほど破壊しやすいことを導く。しかしながら、少なくとも600Vクラス以下のダイオード構造での破壊は報告されていない。この経験事実を説明するためには、キャリア密度と共に大きくなる強力な再結合が必要である。キャリアの発生速度と再結合速度が等しい状況ではデバイスの内部のキャリア分布は均一で安定になると予想できるからである。キャリアの基本的な反応を考えると、著者は直接再結合(R ∝ ne nh)こそがその再結合であ

要約(英語): (Sending via e-mail)

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,005 Kバイト