DC-DCコンバータ高効率化方法とSi物性で制限される限界効率

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08064

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): Proposal of the Method for High Efficiency DC-DC Converters and the Efficiency Limit Restricted by Silicon Properties

著者名: 川口 雄介(東芝),山口 好広(東芝),蟹江 創造(東芝インフォメーションシステムズ),馬場 敦子インフォメーションシステムズ(東芝インフォメーションシステムズ),中川 明夫(東芝)

著者名(英語): Yusuke Kawaguchi(Toshiba),Yoshihiro Yamaguchi(Toshiba),Souzou Kanie(Toshiba I. S. Corporation),Atsuko Baba I. S. Corporation (Toshiba I. S. Corporation),Akio Nakagawa(Toshiba)

キーワード: DC-DCコンバータ|マルチチップモジュール|パワーMOSFET|DC-DC converter|multi chip module|Power MOSFET

要約(日本語): この論文は、DC-DCコンバータの損失について議論し、効率改善方法を提案する。また、最適化された寄生LCR条件では、効率はMOSFETの性能で決まるが、そのMOSFETの性能はいわゆる「シリコン限界」で制限される。大電流の12V入力VRMでは、現在の1MHz条件と同じ効率を得るとするならば、MOSFETの性能が「シリコン限界」まで改善されたと仮定して5MHzが限界である。

要約(英語): This paper discusses details of power loss in DC-DC converters and proposed the method for improving efficiency. In the optimum parasitic LCR condition, the efficiency depends mainly on the characteristics of MOSFETs restricted by silicon property. Silico

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 651 Kバイト