ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08066

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): The optimal profile design for SJ-MOSFET fabricated by double-ion-implantation multi-epitaxial method

著者名: 小野 昇太郎齋藤渉泉沢優角保人来島正一郎辻正敬都鹿野健一山口正一(東芝セミコンダクター社)

著者名(英語): Syotaro Ono(Toshiba),Wataru Saito(Toshiba),Masaru Izumisawa(Toshiba),Yasuto Sumi(Toshiba),Shoichiro Kurushima(Toshiba),Masataka Tsuji(Toshiba),Ken'ichi Tokano(Toshiba),Masakazu Yamaguchi(Toshiba)

キーワード: パワーMOSFET|スーパージャンクション|低オン抵抗|Power-MOSFET|superjunction|Low on-resistance

要約(日本語): P型、N型イオンを選択的に注入し、エピタキシャル成長工程とを複数回実施してpnピラーを形成するダブルインプラ・マルチエピタキシャル方式SJ-MOSFETがある。ピラー深さ方向の不純物プロファイルは、イオン注入面である高濃度部と、上下の拡散層が接続される低濃度部とを有しており、ピラー拡散時間によって変化するピラープロファイルに依存した高温、高電流密度条件下におけるオン抵抗増加に関する試作及びシミュレーション結果を報告する。

要約(英語): We investigated the profile dependency of specific on-resistance (RonA) under high- temperature and high-current-density conditions for 600V-class semi-superjunction MOSFETs fabricated by the double-ion-implantation and multi-epitaxial method, for the fir

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 595 Kバイト