4インチSi基板上高出力AlGaN/GaN HFETの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD08070

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2008/10/24

タイトル(英語): High-power AlGaN/GaN HFET on 4-inch Si substrates

著者名: 池田 成明(古河電工),賀屋秀介 (古河電工),李 江(古河電工),古川 拓也(古河電工),佐藤 義浩(古河電工),加藤禎宏 (古河電工)

著者名(英語): Nariaki Ikeda(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Syuusuke Kaya(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Jiang Li(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Takuya Kokawa(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Yoshihiro Sato(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.),Sadahiro Kato(Yokohama R&D Laboratories,The Furukawa Electric Co.,Ltd.)

キーワード: 高出力|GaN|HFET|Si基板|電流コラプス|High-power|GaN|HFET|Si substrates|current collapse

要約(日本語): 4インチSi基板上に形成したAlGaN/GaN系　HFETにおいて、高耐圧大電流特性を得た。高耐圧化のために、トータル膜厚を6ミクロン以上にしたｴﾋﾟを用いた。結果として、最大電流値で１２０A 以上、破壊電圧1.8kV以上を得た。さらに、電流コラプスについても基板およびデバイス構造の異なったものについて評価した結果、オン抵抗の上昇として1.0kVまで顕著な上昇がない良好な特性を得た。

要約(英語): In this paper, we successfully demonstrate an AlGaN HFET with a high breakdown voltage of over 1.8 kV on 4-inch Si substrates. In order to obtain the high breakdown voltage, a thick GaN epitaxial layer including a buffer layer with a total thickness of ov

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 654 Kバイト