歪み技術による(100)および(110)トランジスタの性能向上戦略

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09034

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Stress Engineering in(100)and(110)MOSFETs

著者名: 内田 建(東京工業大学),齋藤 真澄(東芝)

著者名(英語): Ken Uchida(Tokyo Institute of Technology),Masumi Saitoh(Toshiba Corporation)

キーワード: 歪み|電界効果型トランジスタ|移動度|面方位|有効質量|stress engineering|metal-oxide-semiconductor field-effect transistors|mobility|surface-orientation|effective mass

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 480 Kバイト