最先端リソグラフィー技術とGate-first MG.HKプロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代CMOS Platform Technology

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09035

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): A Cost-Conscious 32nm CMOS Platform Technology with Advanced Single Exposure Lithography and Gate-First Metal Gate.High-K Process

著者名: 長谷川俊介(東芝),北村陽介(東芝),高畑和宏(東芝),岡本浩樹(東芝),宮下桂(東芝),石田達也(東芝),青田正司(東芝),東篤志(東芝),福島崇(東芝),原川秀明(東芝),猪原正弘(東芝),犬宮誠治(東芝),石塚竜嗣(東芝),小島健嗣(東芝),小向敏章(東芝),長友浩二(東芝),松永範昭(東芝),三本木省次(東芝),中嶋一明(東芝),中塚圭祐(東芝),西郡正人(東芝),野町映子(東芝),小川竜二(東芝),岡本晋太郎(東芝),岡野公俊(東芝),沖知普(東芝),小野田裕之(東芝),佐々木俊行(東芝),佐竹正城(東芝),鈴木陽子(東芝),内海邦明(東芝),渡部忠兆(東芝),吉水康人(東芝),成瀬宏(東芝),中山武雄(東芝),松岡史倫(東芝),平井友洋(NEC Electronics),相澤宏一(NEC Electronics),長谷川英司(NEC Electronics),岩本敏幸(NEC Electronics),刈谷奈由太(NEC Electronics),村松諭(NEC Electronics),永原誠司(NEC Electronics),中原寧(NEC Electronics),岡田紀雄(NEC Electronics),鈴木達也(NEC Electronics),田上政由(NEC Electronics),竹田和浩(NEC Electronics),田中聖康(NEC Electronics),谷口謙介(NEC Electronics),富永誠(NEC Electronics),筒井元(NEC Electronics),渡辺普(NEC Electronics),北野友久(NEC Electronics),後藤啓郎(NEC Electronics),中村典生(NEC Electronics)

著者名(英語): S.Hasegawa|Y.Kitamura|K.Takahata|H.Okamoto|T.Hirai|K.Miyashita|T.Ishida|H.Aizawa|S.Aota|A.Azuma|T.Fukushima|H.Harakawa|E.Hasegawa|M.Inohara|S.Inumiya|T.Ishizuka|T.Iwamoto|N.Kariya|K.Kojima|T.Komukai|N.Matsunaga|S.Mimotogi|S.Muramatsu|K.Nagatomo|S.Nagahara

キーワード: コスト|リソグラフィー技術|一度露光|二度露光|メタルゲート|高誘電率絶縁膜|プラットフォーム技術|SRAM|Cost|lithography|single exposure|double patterning|metal gate|high-k|platform technology|SRAM

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,390 Kバイト