Low‐k.Cuデュアルダマシンコンタクトによる40nm MOSFET高周波性能向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09036

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): RF Performance Boosting for 40nm-node CMOS Device by Low-k.Cu Dual Damascene Contact

著者名: 川原潤 (NECエレクトロニクス),肱岡健一郎 (NECエレクトロニクス),久米一平 (NECエレクトロニクス),長瀬寛和 (NECエレクトロニクス),田辺昭 (NECエレクトロニクス),植木誠 (NECエレクトロニクス),山本博規 (NECエレクトロニクス),深井利憲 (NECエレクトロニクス),有田幸司 (NECエレクトロニクス),本山幸一 (NECエレクトロニクス),北尾良平 (NECエレクトロニクス),藤井邦宏 (NECエレクトロニクス),池田昌弘 (NECエレクトロニクス),林喜宏 (NECエレクトロニクス)

著者名(英語): J.Kawahara (NEC Electronics Corporation),K.Hijioka (NEC Electronics Corporation),I.Kume (NEC Electronics Corporation),H.Nagase (NEC Electronics Corporation),A.Tanabe (NEC Electronics Corporation),M.Ueki (NEC Electronics Corporation),H.Yamamoto (NEC Electronics Corporation),T.Fukai (NEC Electronics Corporation),K.Arita (NEC Electronics Corporation),K.Motoyama (NEC Electronics Corporation),R.Kitao (NEC Electronics Corporation),K.Fujii (NEC Electronics Corporation),M.Ikeda (NEC Electronics Corporation),Y.Hayashi (NEC Electronics Corporation)

キーワード: Cuコンタクト|デュアルダマシン|Low‐k|低寄生抵抗|低寄生容量|最大発振周波数fmax|Cu contact|Dual damascene|Low-k|Low parasitic resistance|Low parasitic capacitance|fmax

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 747 Kバイト