エピタキシャルリフトオフ-貼付によって形成した異種材料基板上の狭ギャップ化合物半導体薄膜

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09037

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Narrow-gap semiconductor thin films on host substrates obtained by epitaxial lift-off and bonding

著者名: 滝田 隼人(北陸先端科学技術大学院大学),Yonkil Jeong(北陸先端科学技術大学院大学),工藤 昌宏(北陸先端科学技術大学院大学),田中 成明(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Hayato Takita(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Jeong Yonkil(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Masahiro Kudo(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Nariaki Tanaka(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology)

キーワード: 狭ギャップ化合物半導体|InGaAs.InAlAs|InAs|エピタキシャルリフトオフ|異種材料融合集積|narrow-gap semiconductors|InGaAs.InAlAs|InAs|epitaxial lift-off|heterogeneous integration

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 944 Kバイト