ヘテロランチャと真性チャネルを有する縦型InGaAs-MOSFETの作製

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09038

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Fabrication of vertical InGaAs-MOSFET with heterostructure launcher and intrinsic channel

著者名: 齋藤 尚史(東京工業大学),金澤 徹(東京工業大学),宮本 恭幸(東京工業大学),古屋 一仁(東京工業大学)

著者名(英語): Hisashi Saito(Tokyo Tech),Toru Kanazawa(Tokyo Tech),Yasuyuki Miyamoto(Tokyo Tech),Kazuhito Furuya(Tokyo Tech)

キーワード: InGaAs-MOSFET|ヘテロランチャ|真性チャネル|ホットエレクトロン|InGaAs-MOSFET|heterostructure launcher|intrinsic channel|hot electron

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,182 Kバイト