InGaAsチャネルHEMTにおける真性･寄生遅延の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09039

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Intrinsic and Parasitic Delay Analysis in InGaAs-Channel HEMTs

著者名: 末光 哲也(東北大学),福田 俊介(東北大学),堀池 恒平(東北大学),尾辻 泰一(東北大学),Dae-Hyun Kim (MIT),Jes_s A.del Alamo (MIT)

著者名(英語): Tetsuya Suemitsu(Tohoku University),Shunsuke Fukuda(Tohoku University),Kohei Horiike(Tohoku University),Taiichi Otsuji(Tohoku University),Dae-Hyun Kim(MIT),Jes_s A.del Alamo (MIT)

キーワード: 高電子移動度トランジスタ|HEMT|高周波特性|ゲート遅延時間|遮断周波数|InGaAs|InP|high electron mobility transistor|HEMT|high-frequency characteristics|gate delay time|cutoff frequency|InGaAs|InP

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 584 Kバイト