化合物半導体MOSFETの研究開発動向と将来展望

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09040

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Current Status and Future Prospective of Compound Semiconductor MOSFETs

著者名: 高木 信一(東京大学)

著者名(英語): Shinichi Takagi(The University of Tokyo)

キーワード: MOSFET|III-V族化合物半導体|移動度|有効質量|バリスティック伝導|MOS界面|MOVPE|選択成長|MOSFET|III-V compound semiconductor|mobility|effective mass|ballistic transport|MOS interfaces|MOVPE|selective epitaxy

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,006 Kバイト