AlGaNの表面制御とトランジスタ応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09043

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Surface control of AlGaN for GaN-based transistors

著者名: 橋詰 保(北海道大学),田島 正文(北海道大学),水江 千帆子(北海道大学),大井幸多 (北海道大学),菅原 克也(北海道大学)

著者名(英語): Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Masafumi Tajima(Hokkaido University),Chihoko Mizue(Hokkaido University),Kota Ohi(Hokkaido University),Katsuya Sugawara(Hokkaido University)

キーワード: GaN|AlCaN|高電子移動度トランジスタ（HEMT）|深い準位|表面準位|表面制御|GaN|AlGaN|high electron mobility transistor(HEMT)|deep level|surface state|surface control

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 566 Kバイト