GaNナチュラル　スーパージャンクション　ダイオード

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09044

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): GaN-based Natural Super Junction Diodes

著者名: 石田 秀俊(パナソニック),柴田 大輔(パナソニック),松尾 尚慶(パナソニック),柳原 学(パナソニック),上本 康裕(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),日中毅 (パナソニック),上田 大助(パナソニック)

著者名(英語): Hidetoshi Ishida(Panasonic Corporation),Daisuke Shibata(Panasonic Corporation),Hisayoshi Matsuo(Panasonic Corporation),Manabu Yanagihara(Panasonic Corporation),Yasuhiro Uemoto(Panasonic Corporation),Tetsuzo Ueda(Panasonic Corporation),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic Corporation),Daisuke Ueda(Panasonic Corporation)

キーワード: GaN|ダイオード|HFET|ピエゾ|分極|耐圧|シミュレーション|スーパージャンクション|GaN|diode|HFET(Heterojunction Field Effect Transistor)|piezoelectric|polarization|breakdown voltage|simulation|super junction

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 760 Kバイト