HfO2をゲート絶縁膜とするAlGaN.GaN MOSFETの作製と評価･解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09045

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Fabrication and Characterization of AlGaN.GaN MOSFETs with HfO2 Gate Insulator

著者名: 水谷 孝(名古屋大学),杉浦 俊(名古屋大学),林 慶寿(名古屋大学),岸本 茂(名古屋大学),黒田 正行(パナソニック),上田 哲三(パナソニック),日中毅 (パナソニック)

著者名(英語): Takashi Mizutani(Nagoya University),Shun Mizutani(Nagoya University),Yoshihisa Hayashi(Nagoya University),Shigeru Kishimoto(Nagoya University),Masayuki Kuroda(Panasonic),Tetsuzou Ueda(Panasonic),Tsuyoshi Tanaka(Panasonic)

キーワード: AlGaN.GaN|MOSFET HfO2|ノーマリオフ|界面トラップ|gm低下|AlGaN.GaN|MOSFET|HfO2|normally-off|interface trap|gm decrease

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 485 Kバイト