InAlN.AlGaN.AlN.GaNヘテロ構造及びそれを用いた電子デバイス特性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09046

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Electrical and Device Properties of InAlN.AlGaN.AlGaN Heterostructures

著者名: 廣木正伸 (NTTフォトニクス研究所),前田 就彦(NTTフォトニクス研究所),重川直輝 (NTTフォトニクス研究所),小林 隆(NTTアドバンステクノロジ)

著者名(英語): Masanobu Hiroki(NTT Photonics Laboratories),Narihiko Maeda(NTT Photonics Laboratories),Naoteru Shigekawa(NTT Photonics Laboratories),Takashi KobayashiNTT Advanced Technology Corporation (NTT Photonics Laboratories(NTT Advanced Technology Corporation))

キーワード: InAlN|AlGaN|CaN|ヘテロ構造| 電界効果トランジスタ|InAlN|AlGaN|GaN|Heterostructures|Field Effect Transistors

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 918 Kバイト