熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN.GaN-HEMT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09047

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Recessed gate structure MIS-AlGaN.GaN-HEMT with SiN gate insulator deposited by Thermal CVD.

著者名: 丸井 俊治(沖電気工業),星 真一(沖電気工業),戸田 典彦(沖電気工業),大来 英之(沖電気工業),伊藤正紀 (沖電気工業),玉井 功(沖電気工業),佐野 芳明(沖電気工業),関 昇平(沖電気工業)

著者名(英語): Toshiharu Marui(OKI Electric Industry),Shinichi Hoshi(OKI Electric Industry),Fumihiko Toda(OKI Electric Industry),Hideyuki Okita(OKI Electric Industry),Masanori Itoh(OKI Electric Industry),Isao Tamai(OKI Electric Industry),Yoshiaki Sano(OKI Electric Industry),Shohei Seki(OKI Electric Industry)

キーワード: MIS構造|ゲートリセス|AlGaN.GaN-HEMT|熱CVD SiN|ノーマリオフ|MIS structure|recessed gate|AlGaN.GaN-HEMT|thermal CVD SiN|normally-off

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 665 Kバイト