Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN.AlN.GaN HEMT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09048

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): AlGaN.AlN.GaN HEMT with Si Implantation Doping Technique

著者名: 南條拓真 (三菱電機),吹田 宗義(三菱電機),今井 章文(三菱電機),阿部 雄次(三菱電機),大石 敏之(三菱電機),柳生 栄治(三菱電機),吉新 喜市(三菱電機),徳田 安紀(三菱電機)

著者名(英語): Takuma Nanjo(Mitsubishi Electric Corp.),Muneyoshi Suita(Mitsubishi Electric Corp.),Akifumi Imai(Mitsubishi Electric Corp.),Yuji Abe(Mitsubishi Electric Corp.),Toshiyuki Oishi(Mitsubishi Electric Corp.),Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric Corp.),Kiichi Yoshiara(Mitsubishi Electric Corp.),Yasunari Tokuda(Mitsubishi Electric Corp.)

キーワード: AlGaN.GaN HEMT|AlGaN.AlN.CaN HEMT|AlNスペーサ|Siイオン注入|高出力|高周波|高電子移動度トランジスタ|AlGaN.GaN HEMT|AlGaN.AlN.GaN HEMT|AlN spacer|Si ion implantation|high power|high frequency|high-electron mobility transistor

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 694 Kバイト