微細化T型ゲートイオン注入GaN.AlGaN.GaN HEMT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09049

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/03/09

タイトル(英語): Ion-implanted T shaped gate GaN.AlGaN.GaN HEMT

著者名: 太田理奈雄 (法政大学),川田 昌和(法政大学),野本 一貴(法政大学),佐藤 政孝(法政大学),中村 徹(法政大学)

著者名(英語): Masanao Ohta(Hosei University),Masakazu Kawada(Hosei University),Kazuki Nomoto(Hosei University),Masataka Satoh(Hosei University),Tohru Nakamura(Hosei University)

キーワード: 窒化ガリウム|HEMT|イオン注入|T型ゲート|高周波|微細化|gallium nitride|HEMT|ion-implantation|T shaped gate|High frequency|scaling

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 488 Kバイト