SiC-PiNダイオードとIEGTのハードドライブによる高電圧･大容量変換器の高周波化

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09055

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): High-switching frequency power converter with high-voltage SiC-PiN diodes and hard-driving of IEGTs

著者名: 高尾 和人(東芝),田中 保宣(産総研),成慶 (茨城高専),和田 圭二(首都大学東京),中沢 洋介(東芝),四戸 孝(東芝),金井 丈雄三菱電機産業システム(東芝三菱電機産業システム),大橋 弘通(産総研)

著者名(英語): Kazuto Takao(Toshiba),Yasunori Tanaka(AIST),Kyungmin Sung(Ibaraki National College of Tech.),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan Univ.),Yosuke Nakazawa(Toshiba),Takashi Shinohe(Toshiba),Takeo Kanai(TMEIC),Hiromichi Ohashi(AIST)

キーワード: シリコンカーバイド|PiNダイオード|IEGT|高電圧|電力変換器|ハードドライブ|パワー密度|Silicon carbide|PiN diode|IEGT|high voltage|power converter|hard-driving|Power density

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,421 Kバイト