SICパワーデバイスの技術及び特徴に関する主な研究結果について

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09056

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/10/29

タイトル(英語): Some key researches on SiC device technologies and their predicted advantages

著者名: ゴーラブマジュムダール (三菱電機),大森 達夫(三菱電機)

著者名(英語): Gourab Majumdar(Mitsubishi Electric Corporation),Tatsuo Oomori(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: SiC|MOSFET|SBD|パワーデバイス|SiC|MOSFET|SBD|Power Device

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 968 Kバイト