トレンチ型埋め込み酸化膜を備えたSOI Lateral-IGBT.Diodeの過渡特性解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09065

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Analysis of transient characteristics of Lateral-IGBT.Diode in silicon on insulator characterized by trenched buried oxide structure

著者名: 芦田 洋一(デンソー),高橋 茂樹(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー)

著者名(英語): Youichi Ashida(DENSO CORPORATION),Shigeki Takahashi(DENSO CORPORATION),Satoshi Shiraki(DENSO CORPORATION),Norihito Tokura(DENSO CORPORATION)

キーワード: SOI|L-IGBT|Diode|ターンオン|ターンオフ|デバイスシミュレーション|SOI|L-IGBT|Diode|turn-on|turn-off|Device Simulation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 853 Kバイト