SOI BiC-DMOSにおけるパルスホットキャリア評価の必要性

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09067

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Necessity of Pulse Hot Carrier Evaluation in Suppressing Self-Heating Effect for SOI Smart Power

著者名: 新田 哲也(ルネサステクノロジ),五十嵐 孝行(ルネサステクノロジ),畑迫健一 (ルネサステクノロジ),黒井 隆(ルネサステクノロジ),前川繁登 (ルネサステクノロジ),古谷 啓一(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング),片山 俊治(ルネサスセミコンダクタエンジニアリング)

著者名(英語): Tetsuya Nitta(Renesas Technology),Takayuki Igarashi(Renesas Technology),Kenichi Hatasako(Renesas Technology),Takashi Kuroi(Renesas Technology),Shigeto Maegawa(Renesas Technology),Keiichi Furuya(Renesas Semiconductor Engineering),Toshiharu Katayama(Renesas Semiconductor Engineering)

キーワード: ホットキャリア|自己発熱|SOI|横型DMOS|Hot Carrier|Self-Heating|SOI|LDMOS

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 876 Kバイト