GaN縦型pnダイオードの評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD09075

グループ名: 【C】電子･情報･システム部門　電子デバイス研究会

発行日: 2009/10/30

タイトル(英語): Characterization of GaN vertical pn diodes

著者名: 加地徹 (豊田中研),兼近将一 (豊田中研),成田哲生 (豊田中研),上杉 勉(豊田中研)

著者名(英語): Tetsu Kachi(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Tetsuo Narita(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Masakazu Kanechika(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Tsutomu Uesugi(Toyota Central R&D Labs.,Inc.)

キーワード: GaN|pnダイオード|耐圧|貫通転位|リーク電流|GaN|pn diode|breakdown voltage|dislocations|leakage current

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 647 Kバイト