気相拡散によって形成されたソース・ドレイン接合をもつ高性能GeO2/Ge nMOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10036

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): High Performance GeO2/Ge nMOSFETs with Source/Drain Junctions Formed by Gas Phase Doping

著者名: 森井 清仁(東京大学),岩崎 敬志(東京大学),中根 了昌(東京大学),竹中 充(東京大学),高木 信一(東京大学)

著者名(英語): Morii Kiyohito(The University of Tokyo),Iwasaki Takashi(The University of Tokyo),Nakane Ryosho(The University of Tokyo),Takenaka Mitsuru(The University of Tokyo),Takagi Shinichi(The University of Tokyo)

キーワード: Ｇｅ　ｎＭＯＳＦＥＴ|高移動度|気相拡散|Ge nMOSFETs|high mobility|gas phase doping

要約(日本語): ソース・ドレイン接合形成に気相拡散を用いた高性能なGeO2/Ge nMOSFETの報告

要約(英語): Report on high performance GeO2/Ge nMOSFETs using gas phase doping for source/drain junction formation

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 410 Kバイト