Ge/GeO2界面反応の理解に基づいたGeO2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): Control of GeO2 Properties and Improvement of Ge-MOSFET Peformances Based on Understanding of GeO2/Ge Interface Reaction

著者名: 喜多 浩之(東京大学,JST-CREST),王 盛凱(東京大学),李 忠賢(東京大学),吉田 まほろ(東京大学),西村 知紀(東京大学,JST-CREST),長汐 晃輔(東京大学,JST-CREST),鳥海 明(東京大学,JST-CREST)

著者名(英語): Kita Koji(The University of Tokyo,JST-CREST),Wang Sheng Kai (The University of Tokyo),Lee Choong Hyun (The University of Tokyo),Yoshida Mahoro(The University of Tokyo),Nishimura Tomonori(The University of Tokyo,JST-CREST),Nagashio Kosuke(The University of Tokyo,JST-CREST),Toriumi Akira(The University of Tokyo,JST-CREST)

キーワード: Ｇｅ|ＧｅＯ２|界面反応|ＭＯＳＦＥＴ|昇温脱離測定|光吸収測定|germanium|germanium dioxide|interface reaction|MOSFET|thermal desorption spectroscopy|photo abosorption spectroscopy

要約(日本語): GeO2/Geスタックの制御は界面反応によって生じるGeOの脱離である。この脱離機構の解析を行い，その理解に基づいて，GeO2膜とGeO2/Ge界面の制御を行った。さらにGeO脱離によるGeO2膜中の欠陥形成を光吸収特性によって評価できることを明らかにした。また，これらの知見をGe-nMOSFET形成プロセスへ適用し，電子移動度の大幅な向上を実証した。

要約(英語): Based on the understanding of kinetic views of GeO desorption from GeO2/Ge stacks, the control of the qualities of both GeO2 films and GeO2/Ge interfaces were demonstrated. It was proposed to characterize the effects of GeO desorption on GeO2 film quality by the sub-gap photo-absorption. The significant improvement of Ge n-MOSFETs was also successfully demonstrated by controlling the GeO2/Ge formation processes.

原稿種別: 日本語

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