III-V族サブミクロンチャネルを有する高移動度MOSFET

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): High-mobility MOSFET with submicron III-V channel

著者名: 金澤 徹(東京工業大学),若林 和也(東京工業大学),齋藤 尚史(東京工業大学),寺尾 良輔(東京工業大学),田島 智宣(東京工業大学),池田 俊介(東京工業大学),宮本 恭幸(東京工業大学),古屋 一仁(東京工業大学)

著者名(英語): Kanazawa Toru(Tokyo Institute of Technology),Wakabayashi Kazuya(Tokyo Institute of Technology),Saito Hisashi(Tokyo Institute of Technology),Terao Ryosuke(Tokyo Institute of Technology),Tajima Tomonori(Tokyo Institute of Technology),Ikeda Shunsuke(Tokyo Institute of Technology),Miyamoto Yasuyuki(Tokyo Institute of Technology),Furuya Kazuhito(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: ＭＯＳＦＥＴ|ＩＩＩ－Ｖ族半導体|高移動度チャネル|ＭＯＶＰＥ|電子ビーム露光|MOSFET|III-V semiconductor|high-mobility channel|MOVPE|EB lithography

要約(日本語): 将来の高速論理回路応用へ向けた高駆動能力実現のため、高い電子移動度を持つⅢ-Ⅴ族チャネルを用いたMOSFETの作製を行った。寄生抵抗低減のためのMOVPE再成長ソースとInP 5 nm/InGaAs 12 nmというコンポジットチャネルを有するMOSFETのチャネル長を約150 nmにスケーリングすることで800 mA/mmの飽和ドレイン電流と400 mS/mm の駆動能力が得られた。

要約(英語): We demonstrated a high-mobility InP 5 nm/InGaAs 12 nm channel MOSFET with an MOVPE regrown n+-source for low series resistance and a gate length of 150nm. The saturation drain current was 800 mA/mm and maximum transconductance was 400 mS/mm, respectively.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 4,057 Kバイト