ノーマリオフ型GITを集積したワンチップGaNインバータIC

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): GaN Monolithic Inverter IC Using Normally-off Gate Injection Transistors

著者名: 森田 竜夫(パナソニック株式会社),上本 康裕(パナソニック株式会社),梅田 英和(パナソニック株式会社),井腰 文智(パナソニック株式会社),松尾 尚慶(パナソニック株式会社),清水 順(パナソニック株式会社),引田 正洋(パナソニック株式会社),柳原 学(パナソニック株式会社),上田 哲三(パナソニック株式会社),田中 毅(パナソニック株式会社),上田 大助(パナソニック株式会社)

著者名(英語): Morita Tatsuo(Panasonic Corporation),Uemoto Yasuhiro(Panasonic Corporation),Umeda Hidekazu(Panasonic Corporation),Ikoshi Ayanori(Panasonic Corporation),Matsuo Hisayoshi(Panasonic Corporation),Shimizu Jun(Panasonic Corporation),Hikita Masahiro(Panasonic Corporation),Yanagihara Manabu(Panasonic Corporation),Ueda Tetsuzo(Panasonic Corporation),Tanaka Tsuyoshi(Panasonic Corporation),Ueda Daisuke(Panasonic Corporation)

キーワード: 窒化ガリウム|横型|ゲート注入型トランジスタ|インバータ|鉄イオン|素子分離|GaN|planar|Gate Injection transistor|inverter|Fe ion|planar isolation

要約(日本語): 6個のノーマリーオフゲート注入型GaNトランジスタをワンチップに集積したインバータICを作製し、初めてそのモータ駆動を確認したので報告する。横型デバイスであるGaNトランジスタの特長を活かすため、鉄イオンにより各素子を電気的に分離し、チップ内部で独立して駆動できるようにした。作製したGaNインバータICは、従来のIGBTインバータに比べ42%損失を低減できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 125,077 Kバイト