自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10043

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): Compensation for Class-F GaN HEMT Power Amplifier Using Automatic Bias Control Diode Linearizer

著者名: 安藤 晃洋(電気通信大学),高山 洋一郎(電気通信大学),吉田 剛(電気通信大学),石川 亮(電気通信大学),本城 和彦(電気通信大学)

著者名(英語): Ando Akihiro(The University of Electro-Communications),Takayama Yoichiro(The University of Electro-Communications),Yoshida Tsuyoshi(The University of Electro-Communications),Ishikawa Ryo(The University of Electro-Communications),Honjo Kazuhiko(The University of Electro-Communications)

キーワード: Ｆ級電力増幅器|ＧａＮ　ＨＥＭＴ|ダイオードリニアライザ|相互変調ひずみ|Class-F power amplifier|GaN HEMT|Diode linearizer|Intermodulation distortion

要約(日本語): 複雑な増幅器の非線形特性を補償するためにダイオードバイアス電圧をRF入力電力に対して自動制御するショットキーダイオードリニアライザを提案・試作した．試作した自動バイアス制御型ダイオードリニアライザにより，1.9 GHz用高効率F級GaN HEMT電力増幅器の補償を行い，３次相互変調ひずみ（IMD3）を広い出力電力において-45dBc以下と大幅な改善を実現した．

要約(英語): The Schottky diode linearizer that can control the diode bias voltage according to RF input power is proposed and fabricated to compensate the complicated nonlinear characteristics of the 1.9-GHz class-F GaN HEMT power amplifier. The third-order intermodulation distortion ratio (IMD3) of under -45dBc at wide range output power level was achieved.

原稿種別: 日本語

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