寄生成分を考慮した高次F級負荷回路設計法の提案とGaN HEMTへの適用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10044

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): Class-F Load Circuit Design Method Taking Account of Parasitic Elements and Applying to GaN HEMT

著者名: 黒田 健太(電気通信大学),石川 亮(電気通信大学),本城 和彦(電気通信大学)

著者名(英語): Kuroda Kenta(The University of Electro-Communications),Ishikawa Ryo(The University of Electro-Communications),Honjo Kazuhiko(The University of Electro-Communications)

キーワード: Ｆ級増幅器|寄生補償|ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ|宇宙太陽発電所|Class-F Amplifier|Parasitic Compensation|AlGaN/GaN HEMT|Space Solar Power Station

要約(日本語): 任意の高次高調波の周波数まで, トランジスタの出力容量や, ボンディングワイヤのインダクタンスといった寄生成分の補償が可能なF級負荷回路の設計法を提案する. この方法を用いて設計, 試作した宇宙太陽発電所での使用を想定したAlGaN/GaN HEMTを用いた5.8 GHz帯F級増幅器は, 最大ドレイン効率79.9%, 最大付加電力効率71.4%と高い電力効率を示した.

要約(英語): We have developed a class-F load circuit design method that compensates parasitic elements such as drain output capacitance and bonding wire inductance. This method allows parasitic compensation up to arbitrary harmonic orders. We fabricated a 5.8 GHz class-F amplifier with an AlGaN/GaN HEMT that validated maximum power added efficiency of 71.4% based on proposed method.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 5,016 Kバイト