W帯GaN MMIC送受信増幅器

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/03/26

タイトル(英語): GaN MMIC Amplifiers for W-band Transceivers

著者名: 増田 哲(富士通株式会社),多木 俊裕(富士通株式会社),牧山 剛三(富士通株式会社),岡本 直哉(富士通株式会社),今西 健治(富士通株式会社),吉川 俊英(富士通株式会社),重松 寿生(株式会社富士通研究所)

著者名(英語): Masuda Satoshi(Fujitsu Limited),Ohki Toshihiro(Fujitsu Limited),Makiyama Kozo(Fujitsu Limited),Okamoto Naoya(Fujitsu Limited),Imanishi Kenji(Fujitsu Limited),Kikkawa Toshihide(Fujitsu Limited),Shigematsu Hisao(Fujitsu Laboratories Ltd)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|モノリシックマイクロ波回路|Ｗ帯|低雑音増幅器|電力増幅器|GaN|HEMT|MMIC| W-band|low-noise amplifiers|power amplifiers

要約(日本語): W帯GaN送受信増幅器MMICチップセットを開発した。配線間にビアを配置しアイソレーションを確保する回路安定化設計技術、および寄生容量を低減した0.12um GaN HEMTを開発し、MMICへ適用した。試作した受信増幅器は、利得23dB, 雑音指数3.8dBのGaN MMICとしては世界最高性能を達成した。また、送信用増幅器は出力350mWの世界トップレベルの性能を実現した。

要約(英語): This paper presents W-band MMIC amplifiers in 0.12μm GaN HEMT. A fabricated four-stage low-noise amplifier (LNA) exhibited a record gain of 23 dB and a first reported noise figure (NF) of 3.8 dB for any W-band GaN MMIC. Another MMIC power amplifier (PA) delivered an output power of 350 mW.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,640 Kバイト