横型ＳＯＩ高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10093

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): Analysis of dynamic avalanche phenomenon in SOI lateral high speed diode during reverse recovery and proposal of novel device structure suppressing the dynamic avalanche

著者名: 山本 貴生(デンソー),加藤 久登(デンソー),戸倉 規仁(デンソー),中川 明夫(中川コンサルティング事務所)

著者名(英語): YAMAMOTO TAKAO(DENSO CORPORATION),KATO HISATO(DENSO CORPORATION),TOKURA NORIHITO(DENSO CORPORATION,Kota Plant),Kota Plant(Nakagawa Consulting Office),NAKAGAWA AKIO(Nakagawa Consulting Office)

キーワード: インバータ|ＳＯＩ|横型ダイオード|逆回復|ダイナミックアバランシェ|デバイスシミュレーション|Inverter|SOI|Lateral Diode|Reverse recovery|Dynamic avalanche|Device simulation

要約(日本語): 横型SOIダイオードの逆回復動作において，di/dtが大きい時に発生するダイナミックアバランシェ現象をシミュレーションにより解析した。その結果，アノード領域の蓄積キャリア排出の遅れにより空乏化が遅れ，電界強度が局部的に増加することが原因であることが分かった。この理解に基づき，蓄積ホールの排出を促進する新しいデバイス構造を提案し，ダイナミックアバランシェを効果的に抑制できることを初めて検証した。

要約(英語): We have studied the dynamic avalanche phenomenon in SOI lateral diode during the reverse recovery using mixed-mode device simulation. As the results, it was found that the localized impact ionization occurs because of a high electric field generated by a delayed depletion process at the anode region. We propose the novel SOI lateral diode with newly designed anode structure, resulting in reduction of the electric field and the remarkable suppression of the dynamic avalanche.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,628 Kバイト