アノード構造を改良した高速・高破壊耐量ＳＯＩ横型ダイオードの開発

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10094

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): Development of high speed and highly rugged SOI lateral diode with improved anode structure

著者名: 鈴木 隆司(豊田中央研究所),木村 大至(豊田中央研究所),櫻井 晋也(デンソー),高橋 茂樹(デンソー),白木 聡(デンソー),戸倉 規仁(デンソー),杉山 隆英(豊田中央研究所)

著者名(英語): SUZUKI TAKASHI(TOYOTA central R&D Labs.,inc.),KIMURA TAISHI(TOYOTA central R&D Labs.,inc.),SAKURAI SHINYA(DENSO CORPORATION,Kota Plant),TAKAHASHI SHIGEKI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),SHIRAKI SATOSHI(DENSO CORPORATION,Kota Plant),TOKURA NORIHITO(DENSO CORPORATION,Kota Plant),SUGIYAMA TAKAHIDE(TOYOTA central R&D Labs.,inc.)

キーワード: ＳＯＩ|インバータ|横型ダイオード|逆回復|高破壊耐量|アノード|SOI|inverter|lateral diode|reverse recovery|highly ruggedness|anode

要約(日本語): 低注入効率と電界緩和を図った新しいアノード構造を備えた横型ＳＯＩ高速ダイオードを開発した。600V-2A定格の試作素子（セル面積=0.69mm2）において、(1)順方向電圧降下は1.70V（at 2A），(2)di/dt=-41A/μsの場合の逆回復特性はIRM=-1.8A，Qrr=0.24μC，trr=0.2μs，ダイナミックアバランシェの発生無し，(3)di/dt=-360A/μsまで破壊なし，という良好な特性を示した。更に，シミュレーションにより，新しいアノード構造の効果を検証した。

要約(英語): We have developed the high speed and highly rugged SOI lateral diode with improved anode structure. The fabricated 600V-2A rated device with cell area of 0.69mm2 shows its excellent characteristics as follows; (1) Forward voltage drop is 1.70V at 2A. (2) Reverse recovery characteristics under the condition of di/dt=-41A/μs are IRM=-1.8A, Qrr=0.24μC, trr=0.2μs, and no dynamic avalanche. (3) Destruction-free up to di/dt=-360A/μs at RT.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,302 Kバイト