高電流駆動能力270Vマルチエミッタ横型IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10096

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/29

タイトル(英語): Large Current Capability 270V Lateral IGBT with Multi-Emitter

著者名: 坂野 順一(日立製作所),白川 真司(日立製作所),原 賢志(日立製作所),矢吹 忍(日立製作所),和田 真一郎(日立製作所),野口 純司(日立製作所),和田 雅行(日立製作所)

著者名(英語): Sakano Junichi(Hitachi Research Laboratory,Hitachi Ltd.),Shirakawa Shinji(Hitachi Research Laboratory,Hitachi Ltd.),Hara Kenji(Hitachi Research Laboratory,Hitachi Ltd.),Yabuki Shinobu(Micro Device Division,Hitachi Ltd.),Wada Shinichirou(Micro Device Division,Hitachi Ltd.),Noguchi Junji(Micro Device Division,Hitachi Ltd.),Wada Masayuki(Power and Industrial System Division,Hitachi Ltd.)

キーワード: パワーＩＣ|横型ＩＧＢＴ|ＳＯＩ|オン電圧|短絡耐量|スキャンドライバ|Power IC|Lateral IGBT|SOI|On State Voltage Drop|Short Circuit Capability|Scan Driver

要約(日本語): PDPスキャンドライバIC向けに高電流駆動能力の耐圧270Vマルチエミッタ横型IGBTを開発した。マルチエミッタのチャネル部周辺に各チャネルを均一に動作させるホールバリア層を導入し、8インチ 0.25μｍ SOI分離プロセスを適用することで、高電流密度760A/cm2で1.8Vの低オン電圧と、短絡耐量を確保しつつ容量負荷駆動で要求される高飽和電流密度4000A/cm2を達成した。

要約(英語): We have developed a 270V lateral multi-emitter channel IGBT for plasma display panel scan driver ICs. By introducing a hole barrier layer that covers the emitter regions, low on state voltage drop and large current density were achieved in a 0.25m 8-inch SOI isolation process with improved short circuit capability.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 966 Kバイト