次世代IPM用600V低損失Micro-P構造IGBT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10099

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): A 600V Super Low Loss IGBT with Advanced Micro-P Structure for the next Generation IPM

著者名: 熊田 恵志郎(富士電機システムズ),百瀬 雅之(富士電機システムズ),脇本 博樹(富士電機ホールディングス),小野澤 勇一(富士電機システムズ),中森 昭(富士電機システムズ),関川 貴善(富士電機システムズ),渡辺 学(富士電機システムズ),山崎 智幸(富士電機システムズ),藤島 直人(富士電機システムズ)

著者名(英語): Kumada Keishirou(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Momose Masayuki(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Wakimoto Hiroki(Fuji Electric Holdings Co.,Ltd.),Onozawa Yuichi(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Nakamori Akira(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Sekigawa Kiyoshi(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Watanabe Manabu(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Yamazaki Tomoyuki(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Fujishima Naoto(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.)

キーワード: Ｍｉｃｒｏ―Ｐ　構造|ＩＰＭ|ＳＯＡ|トレードオフ|放射ノイズ|Micro-P structure|IPM|SOA|trade-off relationship|radiation noise

要約(日本語): IPM用途に、ON電圧とミラー容量を低減した、Micro－P構造600V トレンチゲートFS-IGBTを開発した。IPMにおいて、過電流保護機能の改良を行い、SCSOAマージンを最適化し、ON電圧を低減した。従来と比較して、ON電圧とターンオフ損失のトレードオフを改善し、放射ノイズを増大させること無く、ターンオン損失も低減した。その結果、従来と比較して、電力損失を14.2%低減した。

要約(英語): We developed a new 600V trench-gate FS-IGBT with an advanced micro p-base structure in order to realize low on-state voltage drop and low Miller capacitance for intelligent power module. By using improved over-current protection function in the IPMs, collector-emitter saturation voltage is reduced more by the optimization of the SOA. The new 600V IGBT improved trade-off relationship between on-state voltage drop and turn-off power dissipation and realizes low turn-on power dissipation without increasing radiation noise. As a result, total power dissipation of the new IGBT can be reduced by 14.2% compared to that of the conventional IGBT.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 656 Kバイト