ハイブリッド車用IGBTの宇宙線耐量

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10104

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Cosmic Ray Ruggedness of IGBTs for Hybrid Vehicles

著者名: 西田 秀一(トヨタ自動車),庄司 智幸(豊田中央研究所),大西 豊和(トヨタ自動車),藤川 東馬(トヨタ自動車),野瀬 昇(トヨタ自動車),石子 雅康(豊田中央研究所),濱田 公守(トヨタ自動車)

著者名(英語): Nishida Shuichi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Shoji Tomoyuki(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.),Ohnishi Toyokazu(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Fujikawa Touma(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Nose Noboru(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Ishiko Masayasu(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.),Hamada Kimimori(TOYOTA MOTOR CORPORATION)

キーワード: ＩＧＢＴ|宇宙線|中性子照射|シングルイベントバーンアウト|デバイスシミュレーション|寄生サイリスタ動作|Insulated gate bipolar transistor|cosmic ray|neutron irradiation|single event burnout|device simulation|parasitic thyristor action

要約(日本語): ハイブリッド車用の三種類のＩＧＢＴを用い、宇宙線中性子照射実験を行い、素子構造に対する宇宙線耐量の相違を明らかにした。具体的には破壊痕の物理解析やシミュレーションから、電子－正孔対発生による局所的大電流による熱的な破壊に至ることを解明し、シミュレーションによる破壊現象の検討から、寄生pnp及びnpnトランジスタの電流増幅率を低減することが重要である知見を得た。

要約(英語): This paper describes an investigation into the failure mechanism for single event burnouts (SEB) induced by cosmic rays in insulated gate bipolar transistors (IGBTs). Device destruction tolerance can be greatly improved by adopting an optimized device design that greatly suppresses parasitic thyristor action.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 894 Kバイト