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IGBTモジュールにおける大電流回路構成技術の開発

IGBTモジュールにおける大電流回路構成技術の開発

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カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10109

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Development of Large-Current Circuit Construction for IGBT Modules

著者名: 木戸 和優(富士電機システムズ),百瀬 文彦(富士電機システムズ),西村 芳孝(富士電機システムズ),後藤 友彰(富士電機システムズ)

著者名(英語): Kido Kazumasa(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Momose Fumihiko(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Nishimura Yoshitaka(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.),Goto Tomoaki(Fuji Electric Systems Co.,Ltd.)

キーワード: IGBTモジュール|超音波接合|信頼性

要約(日本語): これまでIGBTモジュールの内部回路において、電極端子と絶縁基板とは、はんだ付けで接合されてきた。しかし近年、IGBTモジュールは大容量化への要求から大型化し、接合時に加熱が必要なはんだ付け工程では組立性、信頼性確保が困難となりつつある。今回、はんだ代替技術として、常温接合が可能な超音波接合のIGBTモジュール構造への適用検討を行った結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 789 Kバイト

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