バイポーラ トランジスタの動作モデルの再考察

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10111

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): A Consideration on the Operating Model of Bipolar Transistors

著者名: 高田 育紀(東京工業大学)

著者名(英語): Takata Ikunori(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: バイポーラトランジスタ|動作モデル|高耐圧トランジスタ|bipolar transistor|operating model|high voltage transistor

要約(日本語): 接合型トランジスタは最も基本的な半導体デバイスであるが、その動作モデルは入門者に分かり難い。また、広いn-領域を有する高耐圧トランジスタの動作モデルは広く知られていない。今回、従来の低耐圧品についての動作モデルをレビューすると共に、高耐圧トランジスタの簡潔な動作モデルを提起したい。

要約(英語): Although the bipolar transistor is the most fundamental semiconductor device, its operating model is not so easy to beginners. Besides, the operating model of high a voltage transistor which has the wide n- region has not been widely known. This time, the author would like to review one on the low voltage transistor and propose a simple model of the high voltage transistor.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 742 Kバイト