高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10113

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Influence of Electric Field upon Current Collapse Phenomena and Reliability in High Voltage GaN-HEMTs

著者名: 齋藤 渉(東芝),新田 智洋(東芝),垣内 頼人(東芝),齋藤 泰伸(東芝),野田 隆夫(東芝),藤本 英俊(東芝),吉岡 啓(東芝),大野 哲也(東芝)

著者名(英語): Saito Wataru(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Nitta Tomohiro(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Kakiuchi Yorito(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Saito Yasunobu(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Noda Takao(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Fujimoto Hidetoshi(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Yoshioka Akira(Semiconductor Company,Toshiba Corp.),Ohno Tetsuya(Semiconductor Company,Toshiba Corp.)

キーワード: ＧａＮ－ＨＥＭＴ|高耐圧|電流コラプス|信頼性|GaN-HEMT|High Voltage|Currento Collapse|Reliability

要約(日本語): 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスによるオン抵抗増加をフィールドプレート構造やウェハを変化させて評価し、電界ピークに対するユニバーサリティが観測された。オン抵抗増加はゲート端電界が著しく影響する。連続スイッチングによるオン抵抗の変動を評価した。電流コラプスと同様に電界ピークに依存し、ゲート端電界の影響が著しい。これより、最適なフィールドプレート設計は、電流コラプス抑制と信頼性確保を両立させる。

要約(英語): The relation between the dynamic on-resistance increased by the collapse phenomena and the maximum electric field peak showed universality, which was independent from the field plate structure and the wafer. The gate-edge electric field strongly affects the increase of the dynamic on-resistance. After the continuous switching test, the change of the dynamic on-resistance also depended on the maximum electric field.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 469 Kバイト