低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10114

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): Reverse Electrical Characteristics of 4H-SiC JBS Diodes Fabricated on Substrate with Low Threading Dislocation Density

著者名: 藤原 広和(トヨタ自動車株式会社),小西 正樹(トヨタ自動車株式会社),大西 豊和(トヨタ自動車株式会社),中村 剛志(トヨタ自動車株式会社),濱田 公守(トヨタ自動車株式会社),勝野 高志(㈱豊田中央研究所),渡辺 行彦(㈱豊田中央研究所),森野 友生(㈱デンソー),山本 武雄(㈱デンソー),遠藤 剛(㈱デンソー),山本 敏雅(㈱デンソー),鶴田 和弘(㈱デンソー),恩田 正一(㈱デンソー)

著者名(英語): Fujiwara Hirokazu(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Konishi Masaki(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Ohnishi Toyokazu(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Nakamura Tsuyoshi(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Hamada Kimimori(TOYOTA MOTOR CORPORATION),Katsuno Takashi(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Watanabe Yukihiko(Toyota Central R&D Labs.,Inc.),Morino Tomoo(DENSO CORPORATION),Yamamoto Takeo(DENSO CORPORATION),Endo Takeshi(DENSO CORPORATION),Yamamoto Toshimasa(DENSO CORPORATION),Tsuruta Kazuhiro(DENSO CORPORATION),Onda Shoichi(DENSO CORPORATION)

キーワード: ジャンクションバリアショットキーダイオード|貫通転位|結晶欠陥|リーク電流|ばらつき|大電流|Junction Barrier Schottky Diode|Threading Dislocation|Crystal Defect|Leakge Current|Variation|Large Current

要約(日本語): ショットキバリアハイト、ドリフト層の構造、表面欠陥および貫通転位密度などがＳｉＣ-ＪＢＳダイオードの逆方向Ｉ－Ｖ特性に与える影響を評価した。また、低貫通転位密度のエピ基板を用いて１００Ａ級のＪＢＳダイオードを試作した結果、リーク電流のバラツキが小さく、高い良品率を得ることができた。

要約(英語): The purpose of this study is to examine the impact of threading dislocations, surface defects, donor concentration and Schottky barrier height on the reverse IV characteristics of SiC JBS diodes. Consequently, the improvement of variations and yield in large area diodes could be obtained by using wafer with low threading dislocation density.

原稿種別: 日本語

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