ワイドバンドギャップパワーデバイスの高温動作に向けたパッケージを含むデバイス熱モデルの構築

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD10117

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2010/11/30

タイトル(英語): A Study on the Modeling of Thermal Response in Packaged Power Device for High-Temperature Operation of Widebandgap Power Devices

著者名: 大西 亮太(大阪大学),舟木 剛(大阪大学)

著者名(英語): Onishi Ryota(Osaka University ),Funaki Tsuyoshi(Osaka University )

キーワード: ワイドバンドギャップパワーデバイス|熱抵抗|パッケージ|配線ワイヤー|Widebandgap Power Device|Thermal resistance|Package|Bonding wire

要約(日本語): Siパワーデバイスの限界温度以上で動作が可能であるワイドバンドギャップパワーデバイスの、高温における安定した動作を実現するには、デバイス及びパッケージの自己発熱による温度上昇を把握することが必要となる。本報告では、デバイス、パッケージ、配線ワイヤーでの損失を考慮した熱モデルを構築し、配線ワイヤー本数により損失発生条件を変化させた場合のデバイス温度を、実測温度と比較することでモデルの妥当性を確認した。

要約(英語): Widebandgap power devices can be operated at the temperature higher than the critical temperature of Si power devices. It is necessary to estimate the temperature rise of device and package by self heating for reliable operation in high-temperature. This paper develops thermal-model of power device considering power loss in device, package and bonding-wire, and its validity is exemplified by comparative study with the experiment.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 811 Kバイト