単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11035

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): Single atom doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

著者名: 品田 賢宏(早稲田大学),堀 匡寛(早稲田大学),平 圭吾(早稲田大学),小松原 彰(早稲田大学),小野 行徳(日本電信電話),谷井 孝至(早稲田大学),遠藤 哲郎(東北大学),大泊 巌(早稲田大学)

著者名(英語): Shinada Takahiro(Waseda University),Hori Masahiro(Waseda University),Taira Keigo(Waseda University),Komatsubara Akira(Waseda University),Ono Yukinori(NTT Basic Research Laboratory),Tanii Takashi(Waseda University),Endoh Tetsuo(Tohoku University),Ohdomari Iwao(Waseda University)

キーワード: 単一原子ドーピング|単一イオン注入|離散的ドーパント|ドーパント規則配列|Single atom doping|Single ion implantation|Discrete dopant|Ordered dopant array

要約(日本語): 長年、デバイス特性を制御するために導入されてきたドーパントは微細化によって10年以内に数個になる。しかし、ランダムな分布故、特性ばらつきが大問題となっている。最近、単一イオン注入法の個数制御性を改善し、ドーパント分布がデバイス特性に及ぼす影響を調査したところ、ドレイン側に偏在するドーパント分布は電流を増加させ、規則配列は特性ばらつきを抑制することが判明。本調査を通じて、CMOS技術の延伸に貢献する。

要約(英語): For reliable deterministic single-atom doping, single-ion detection efficiency is improved by controlling channel potential in transistor. We fabricate transistors with discrete dopants and find that subthreshold current becomes larger when dopants are located at drain-side than source-side. The single-atom doping method could contribute to the extensibility of doped-channel device technologies.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 805 Kバイト