22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11037

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): Low-Resistive and Homogenous NiPt-Silicide Formation using Ultra-Low Temperature Annealing with Microwave System for 22nm-node CMOS and beyond

著者名: 山口 直(ルネサスエレクトロニクス),川崎 洋司(ルネサスエレクトロニクス),山下 朋弘(ルネサスエレクトロニクス),山本 芳樹(ルネサスエレクトロニクス),後藤 洋太郎(ルネサスエレクトロニクス),土本 淳一(ルネサスエレクトロニクス),工藤 修一(ルネサスエレクトロニクス),前川 和義(ルネサスエレクトロニクス),藤澤 雅彦(ルネサスエレクトロニクス),浅井 孝祐(ルネサスエレクトロニクス)

著者名(英語): Yamaguchi Tadashi(Renesas Electronics),Kawasaki Yoji(Renesas Electronics),Yamashita Tomohiro(Renesas Electronics),Yamamoto Yoshiki(Renesas Electronics),Goto Yotaro(Renesas Electronics),tsuchimoto jun-ichi(Renesas Electronics),Kudo Shuichi(Renesas Electronics),Maekawa Kazuyoshi(Renesas Electronics),Fujisawa Masahiko(Renesas Electronics),Asai Koyu(Renesas Electronics)

キーワード: シリサイド|アニール|マイクロ波|ニッケル|ＣＭＯＳ|低温|silicide|anneal|maicrowave|nickel|CMOS|low-temperature

要約(日本語): 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜を, マイクロ波アニールを用いて低温にて形成することを報告する. マイクロ波アニールで形成された薄膜NiPtシリサイドは低抵抗かつ均質である. また, 浅い接合におけるNiPtシリサイドの異常成長による接合リーク電流の増加を抑えることができる.

要約(英語): A novel NiPt-silicide formation using microwave annealing is proposed, and superior properties of NiPt silicide in ultra-shallow junction are demonstrated for the first time. Low-resistive and homogeneous NiPtSi can be formed, and an increase of the junction leakage current due to the abnormal NiPt-silicide growth is successfully suppressed.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,107 Kバイト