GaN, SiCパワーデバイスの車載応用

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11038

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): GaN, SiC power devices for automotive systems

著者名: 兼近 将一(豊田中央研究所),上杉 勉(豊田中央研究所),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Masakazu Kanechika(Toyota Central R&D Labs.,Inc. ),Tsutomu Uesugi(Toyota Central R&D Labs.,Inc. ),Tetsu Kachi(Toyota Central R&D Labs.,Inc. )

キーワード: パワーデバイス|車載システム|ＧａＮ|ＳｉＣ|power device|automotive system|GaN|SiC

要約(日本語): パワーデバイスの性能は，ハイブリッド自動車や電気自動車などのエネルギー効率を左右する。最近では，Siに代わってGaNやSiCなどのワイドバンドギャップ半導体を用いたデバイス開発が盛んである。本報告では，ハイブリッド自動車などにおけるパワーデバイスの役割，最近の成果，将来展望を報告する。

要約(英語): A power device is one of the key elements to determine the performance of hybrid electric vehicles (HEVs) and pure electric vehicles (EVs). Recently, the power devices using wide-bandgap semiconductors, such as SiC and GaN, have been intensively developed. In this paper, we review the roles of the power devices, the required device characteristics, and the recent status.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 625 Kバイト