Alイオン注入4H-SiCプレーナ接合における最適ガードリング間隔に関する検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11039

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): Investigation of Optimum Guard-Ring Spacing of Al-Implanted 4H-SiC Planar Junctions

著者名: 望月 和浩(技術研究組合　次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,株式会社　日立製作所),沖野 泰之(技術研究組合　次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,株式会社　日立製作所),亀代 典史(技術研究組合　次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,株式会社　日立製作所),横山 夏樹(技術研究組合　次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構,株式会社　日立製作所)

著者名(英語): Mochizuki Kazuhiro(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Hitachi,Ltd.),Okino Hiroyuki(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Hitachi,Ltd.),Kameshiro Norifumi(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Hitachi,Ltd.),Yokoyama Natsuki(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology,Hitachi,Ltd.)

キーワード: 炭化珪素|ＳｉＣ|パワーデバイス|Ａｌ|イオン注入|ガードリング|silicon carbide|SiC|power device|aluminum|ion implantation|guard ring|

要約(日本語): 炭化珪素へのAlイオン注入により形成したガードリングの最適間隔Wsを解析的ならびに実験的に求めた。モンテカルロシミュレーションから求めたAl濃度分布を，深さ方向dual Pearson分布にガウス分布を乗じてフィッティングし，横方向標準偏差ΔRlatを決定後，多段イオン注入の最大注入エネルギーにおけるΔRlatを，等方分布を仮定した従来解析式における接合曲率半径に代え適用した。解析解は実測値とほぼ一致し，本解析式の妥当性を検証できた。

要約(英語): This paper provides a revised solution for the optimum-guard-ring spacing Ws in Al-implanted 4H-SiC planar junctions. The solution uses a lateral range straggling, together with junction depth, determined from two-dimensional Monte-Carlo simulation. Experimental results were consistent with the analytical prediction.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 710 Kバイト