Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD11040

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2011/03/01

タイトル(英語): A III-nitride solar cell with an InGaN/GaN multiple-quantum-well structure grown on Si substrate

著者名: 渡邉 則之(日本電信電話),横山 春喜(日本電信電話),重川 直輝(日本電信電話),杉田 憲一(福井大学),山本 あき勇(福井大学)

著者名(英語): Watanabe Noriyuki(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Yokoyama Haruki(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Shigekawa Naoteru(Nippon Telegraph and Telephone Corporation),Sugita Kenichi(University of Fukui),Yamamoto Akio(University of Fukui)

キーワード: 太陽電池|窒化物|ＩｎＧａＮ／ＧａＮ|Ｓｉ|ＭＯＣＶＤ|solar cell|group-III nitride|InGaN/GaN|Si|MOCVD

要約(日本語): Si基板上にInGaN/GaN MQW層吸収層を有する窒化物半導体系太陽電池構造をMOCVD法により成長し、その特性を評価した。AM1.5Gの照射下で太陽電池動作を確認し、その発電効率は0.07%であった。

要約(英語): We report a group-III nitride solar cell with an InGaN/GaN multiple-quantum-well (MQW) structure grown on a Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition. Under air mass 1.5 global (AM 1.5 G) illumination, the solar cell shows the photovoltaic behavior and has a conversion efficiency of 0.07%.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,519 Kバイト